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深度学习 第 30 / 49 篇

深度学习:卷积操作的进阶 — 感受野、步长、Padding 与尺寸计算

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本文目录 17 个小节

1. 感受野(Receptive Field)

1.1 定义

感受野 = 当前特征图里的每个特征,是由原始图片多大区域的像素参与运算得到的。

1.2 连续卷积,感受野逐渐扩大

阶段特征图尺寸每个特征的感受野
原始图6×6—
第 1 次 3×3 卷积4×43×3
第 2 次 3×3 卷积2×25×5

1015.png

一层 3×3 卷积的感受野是 3×3,两层 3×3 卷积的感受野就变成 5×5。

1.3 关键规律

特征图尺寸:越来越小
感受野:越来越大

浅层 → 关注细节局部特征(小感受野)
深层 → 关注宏观整体特征(大感受野)

这也解释了为什么堆叠多个小卷积核比单个大卷积核更好——在 stride=1、dilation=1 时,两层 3×3 的理论感受野为 5×5;输入、中间、输出通道数相同时,忽略偏置通常参数更少(2×9=182 \times 9 = 18 vs 2525)。


2. 卷积核的大小

2.1 一般选奇数的正方形

  • 3×3、5×5、7×7 等
  • 奇数核有唯一的中心像素,便于对称地定位特征

2.2 为什么最常用 3×3

  • 参数少,计算快
  • 叠加多层后感受野照样能变大(见上节)
  • 不用担心”3×3 看到的像素太少”

3. 步长(Stride)

步长 = 卷积核每次滑动的像素数。

步长效果适用场景
1特征图缩小慢,保留细节小卷积核(3×3),检测小特征
2特征图缩小快大卷积核(7×7),检测大特征

步长应按分辨率和计算量需求选择,没有“小核必须配小步长”的硬规则。3×3、stride=2 是常见下采样方式;下采样可能损失细节。


4. Padding

4.1 卷积的两个问题

  1. 特征图越来越小 — 图片小、层数多时很快就无法继续卷积
  2. 边缘像素被”冷落” — 中央像素参与 9 次计算,边缘像素只参与 1~4 次

1016.png

4.2 Padding 的做法

在图片周围填充像素(最常用全 0 填充):

Padding=1 → 周围加一圈 0
Padding=2 → 周围加两圈 0

1018.png

6×6 图片 Padding=1 后变 8×8,再做 3×3 卷积(步长 1)→ 输出仍是 6×6。

4.3 Padding 解决两个问题

问题Padding 如何解决
特征图变小填充后再卷积,尺寸可保持不变 → 能堆更多层
边缘像素被冷落边缘像素参与计算的次数增加了

5. 输出尺寸计算公式

5.1 公式

Wout=1+⌊Win+2P−KS⌋W_{\text{out}} = 1 + \left\lfloor \frac{W_{\text{in}} + 2P - K}{S} \right\rfloor Hout=1+⌊Hin+2P−KS⌋H_{\text{out}} = 1 + \left\lfloor \frac{H_{\text{in}} + 2P - K}{S} \right\rfloor
符号含义
Win,HinW_{\text{in}}, H_{\text{in}}输入宽、高
KK卷积核尺寸
PPPadding 值
SS步长
⌊⋅⌋\lfloor \cdot \rfloor向下取整(除不尽时舍弃最后一步)

1020.png

5.2 公式理解

输出数 = 初始位置(1 个) + 还能移动多少次

还能移动多少次 = (填充后的宽度 - 卷积核宽度) / 步长
              = (W_in + 2P - K) / S

除不尽 → 向下取整 → 卷积核部分越界的最后一步被舍弃

5.3 保持尺寸不变:S=1 时 P 取多少?

要让 Wout=WinW_{\text{out}} = W_{\text{in}}:

P=K−12P = \frac{K - 1}{2}
卷积核 K保持尺寸所需的 Padding
3×3P = 1
5×5P = 2
7×7P = 3

这里假设 dilation=1、左右对称且取整数填充。偶数核也可以通过不对称填充保持尺寸,不能推出所有卷积核都必须为奇数。


6. 总结

感受野:特征图每个像素对应原图的区域,层数越深越大
卷积核:选奇数(有唯一中心),最常用 3×3
步长  :小核(3×3)配步长1,大核(7×7)可配步长2
Padding:填 0 保尺寸 + 让边缘像素被充分利用

输出尺寸公式:
  W_out = 1 + ⌊(W_in + 2P - K) / S⌋

保持尺寸不变(S=1):
  P = (K-1)/2   → 所以 K 必须是奇数

本节输出尺寸公式假设 dilation=1。一般情况应将 KK 替换为有效核宽 d(K−1)+1d(K-1)+1,其中 dd 是空洞率;二维的高、宽分别计算。

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